技术文章
- [智能卡] FRAM为RFID LSI带来更多价值2010-7-2
- 发布：本站发布
- 到目前为止，富士通半导体已经开发出了高频段(13.6MHz)和超高频段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI产品。这些产品最重要的特点就是它们内嵌FRAM。由于擦写速度快、耐擦写次数高，它们已经作为数据载体型被动RFID LSI而被全世界广泛采用。
- [智能卡] 智能卡存储单元EEPROM、Flash和FRAM之间的性能比较2007-5-23
- 发布：本站发布
- EEPROM是最典型的电可改写非挥发性存储器，是80年代以来发展起来的一种非挥发性半导体存储器，它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。EEPROM的工艺基础是CMOS工艺，随着CMOS工艺向亚微米发展，EEPROM的集成度在不断提高。