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  • FRAM为RFID LSI带来更多价值
  • [智能卡FRAM为RFID LSI带来更多价值2010-7-2
  • 发布:本站发布
  • 到目前为止,富士通半导体已经开发出了高频段(13.6MHz)和超高频段(860 MHz到960 MHz)RFID LSI产品。这些产品最重要的特点就是它们内嵌FRAM。由于擦写速度快、耐擦写次数高,它们已经作为数据载体型被动RFID LSI而被全世界广泛采用。
  • 智能卡存储单元EEPROM、Flash和FRAM之间的性能比较
  • [智能卡智能卡存储单元EEPROM、Flash和FRAM之间的性能比较2007-5-23
  • 发布:本站发布
  • EEPROM是最典型的电可改写非挥发性存储器,是80年代以来发展起来的一种非挥发性半导体存储器,它具有电可编程、可擦/写、使用灵活等优点。EEPROM的工艺基础是CMOS工艺,随着CMOS工艺向亚微米发展,EEPROM的集成度在不断提高。